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Référence: EGE-630W-132N
1 430,00 MAD TTC
  • Panneau photovoltaïque haute performance à technologie N-Type Topcon
  • Puissance maximale de sortie : 630W, idéal pour les installations résidentielles et industrielles
  • Rendement énergétique élevé de 24%, optimisé pour les zones à forte irradiation
  • Cellules N-Type bifaciales pour une meilleure productivité sur les deux faces
  • Conception 132 demi-cellules (half-cut) pour minimiser les pertes et améliorer la durabilité
  • Excellente tolérance à l’ombre grâce à la technologie multi-busbar
  • Résistance accrue aux conditions climatiques extrêmes (vent, neige, humidité)
  • Cadre en aluminium anodisé robuste et verre trempé anti-reflet
  • Compatible avec tous types d’onduleurs et systèmes de montage standard
  • Technologie low LID : moins de perte de puissance au fil du temps
  • Certification CE, IEC61215 & IEC61730 pour une qualité garantie
  • Garantie produit 15 ans, garantie performance linéaire 30 ans
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Référence: EGE-590W-144N
1 150,00 MAD TTC
  • Puissance nominale de 590 Wc pour une production énergétique élevée.
  • Rendement de conversion de 23,42 %, optimisant la surface installée.
  • Technologie TOPCon N-type bifaciale, captant l'énergie des deux côtés du panneau.
  • Conception avec 144 cellules monocristallines pour une performance optimale.
  • Coefficient de température amélioré, assurant une meilleure performance en conditions chaudes.
  • Cadre en aluminium anodisé robuste, résistant aux conditions climatiques difficiles.
  • Compatible avec les installations résidentielles, commerciales et industrielles.
  • Garantie produit de 15 ans et garantie de performance linéaire de 30 ans.?
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Référence: AD4U32008G22-SGN
730,00 MAD TTC
  • Capacité : 8 Go
  • Type de mémoire : DDR4
  • Fréquence : 3200 MHz
  • Format : 288 broches DIMM non tamponné (U-DIMM)
  • Latence CAS : CL22
  • Tension de fonctionnement : 1,2 V, permettant une réduction de la consommation énergétique jusqu'à 20 % par rapport à la DDR3
  • Compatibilité : Conforme aux normes JEDEC et RoHS, compatible avec les plateformes Intel Core des 8e, 9e et 10e générations, ainsi qu'avec les séries AMD ZEN 2e et 3e générations Ryzen
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Référence: AD4U320016G22-SGN
1 420,00 MAD TTC
  • Capacité : 16 Go
  • Type de mémoire : DDR4 SDRAM
  • Format : U-DIMM (288 broches)
  • Fréquence : 3200 MHz
  • Latence CAS : CL22
  • Tension de fonctionnement : 1,2 V (réduction de 20 % de la consommation énergétique par rapport à la DDR3)
  • Bande passante : Jusqu'à 25,6 Go/s
  • Normes : Conforme aux standards JEDEC et RoHS
  • Compatibilité : Intel Core (8e, 9e, 10e générations), AMD Ryzen (ZEN 2, ZEN 3)
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Référence: AD4S320016G22-SGN
1 420,00 MAD TTC
  • Capacité : 16 Go
  • Type de mémoire : DDR4 SDRAM
  • Format : SO-DIMM (260 broches)
  • Fréquence : 3200 MHz
  • Latence CAS : CL22
  • Tension de fonctionnement : 1,2 V (réduction de 20 % de la consommation énergétique par rapport à la DDR3)
  • Bande passante : Jusqu'à 25,6 Go/s
  • Normes : Conforme aux standards JEDEC et RoHS
  • Compatibilité : Optimisée pour les plateformes Intel® Core™ de la 10? génération
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Référence: AD5U56008G-S
1 340,00 MAD TTC
  • Capacité : 8 Go
  • Type de mémoire : DDR5 U-DIMM
  • Fréquence : 5600 MHz
  • Latence CAS : 46-45-45
  • Tension de fonctionnement : 1,1 V
  • Caractéristiques spéciales :
  • PMIC intégré : Assure une alimentation électrique plus stable et efficace.
  • ECC intégré : Corrige automatiquement les erreurs en temps réel pour une stabilité et une fiabilité accrues.
  • Compatibilité : Compatible avec les dernières plateformes AMD et Intel.
  • Dimensions : 288 broches DIMM
  • Température de fonctionnement : 0°C à 85°C
  • Garantie : Garantie à vie limitée
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Référence: AD5U560016G-S
2 490,00 MAD TTC
  • Capacité : 16 Go
  • Type de mémoire : DDR5
  • Format : U-DIMM (Unbuffered DIMM)
  • Vitesse : 5600 MHz
  • Latence CAS : CL46?
  • Tension d'alimentation : 1,1 V
  • Température de fonctionnement : 0°C à 85°C
  • Dimensions physiques : Longueur de 133,35 mm, largeur de 30 mm et hauteur de 4,35 mm
  • Garantie : Garantie à vie limitée?
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Référence: ALEG-710-512GCS
850,00 MAD TTC
  • Modèle : ADATA LEGEND 710
  • Interface : PCIe Gen3 x4
  • Vitesses de lecture/écriture : Jusqu'à 2,400 MB/s en lecture et 1,800 MB/s en écriture
  • Prise en charge : NVMe 1.4
  • Dissipateur thermique : Réduction de la température jusqu'à 15%
  • Capacités disponibles : 512 GB
  • Sécurité : Chiffrement AES 256-bit
  • Logiciels inclus : SSD Toolbox et Migration Utility
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Référence: UR350-32G-RSR/BK
80,00 MAD TTC
  • Capacité : 32 Go
  • Interface : USB 3.2 Gen1 (rétrocompatible avec USB 2.0)
  • Vitesse de lecture : jusqu'à 100 Mo/s
  • Dimensions : 31,9 mm (L) x 12 mm (l) x 5,7 mm (H)
  • Poids : 3,5 g
  • Matériau du boîtier : Métal avec finition nickelée
  • Design : Unibody sans capuchon
  • Résistance : Étanche, antichoc et antipoussière grâce au processus de fabrication COB (Chip-On-Board)
  • Compatibilité : Windows Vista, 7, 8, 8.1, 10, 11 ; Mac OS X 10.6 ou ultérieur ; Linux kernel 2.6 ou ultérieur
  • Couleur : Noir
  • Garantie 1 an
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Référence: AD4S32008G22-SGN
730,00 MAD TTC
  • Capacité : 8 Go
  • Type de mémoire : DDR4 SDRAM
  • Format : SODIMM 260 broches
  • Fréquence : 3200 MHz
  • Latence CAS : CL22
  • Tension : 1,2 V
  • Compatibilité : Optimisé pour les processeurs Intel Core de 10e génération
  • Consommation d'énergie : Réduction de 20 % par rapport à la DDR3
  • Température de fonctionnement : 0°C à 85°C
  • Garantie : À vie limitée
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Référence: ASU650SS-512GT-R
930,00 MAD TTC
  • Capacité de stockage : 512 Go
  • Format : 2,5 pouces
  • Interface : SATA III (6 Gbit/s)
  • Type de mémoire : NAND 3D
  • Vitesse de lecture séquentielle : jusqu'à 520 Mo/s
  • Vitesse d'écriture séquentielle : jusqu'à 450 Mo/s
  • IOPS en lecture aléatoire (4 Ko) : jusqu'à 40 000
  • IOPS en écriture aléatoire (4 Ko) : jusqu'à 75 000
  • Durée de vie moyenne (MTBF) : jusqu'à 2 millions d'heures
  • Résistance aux chocs : 1500 G/0,5 ms
  • Température de fonctionnement : 0°C à 70°C
  • Température de stockage : -40°C à 85°C
  • Consommation d'énergie : environ 2 W
  • Dimensions : 100,5 mm x 69,8 mm x 7 mm
  • Poids : 59,5 g
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Référence: ASU650SS-256GT-R
620,00 MAD TTC
  • Capacité : 256 Go
  • Type de mémoire : 3D NAND Flash
  • Format : 2,5 pouces
  • Interface : SATA 6 Gb/s
  • Vitesse de lecture : Jusqu'à 520 Mo/s
  • Vitesse d'écriture : Jusqu'à 450 Mo/s
  • Technologie ECC : Correction d’erreur avancée pour une meilleure fiabilité
  • MTBF (Durée de vie estimée) : 2 000 000 d’heures
  • Consommation d’énergie : Faible consommation par rapport aux HDD traditionnels
  • Compatibilité : PC portables et de bureau avec interface SATA
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Référence: ASU650SS-1TT-R
1 750,00 MAD TTC
  • Capacité : 1 To
  • Type de mémoire : 3D NAND Flash
  • Format : 2,5 pouces
  • Interface : SATA 6 Gb/s
  • Vitesse de lecture : Jusqu'à 520 Mo/s
  • Vitesse d'écriture : Jusqu'à 450 Mo/s
  • Technologie SLC Caching : Améliore la vitesse de transmission en optimisant les performances de lecture et d'écriture
  • Correction d'erreurs avancée (ECC) : Assure l'intégrité des données et prolonge la durée de vie du SSD
  • Durabilité : Résistant aux chocs et aux vibrations, avec une résistance aux chocs de 1500G/0,5 ms
  • Température de fonctionnement : 0°C à 70°C
  • Température de stockage : -40°C à 85°C
  • MTBF (Mean Time Between Failures) : 2 000 000 heures
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